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樓主 |
發(fā)表于 2007-4-23 23:35:00
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Re: CVD鑽石薄膜材料,中國人搞的
五、其他可供應(yīng)用方向
. U: ^4 I: j, D4 w1、Diamond bonding tools for semiconductors(TAB Tool)
3 a: J( a" h# \) C+ y5 M( W* {2、submonuts for LASER High Power LED* K% U3 {' K* Y5 R' {2 h3 O
3、CVD Diamond Disk1 F' a K! I/ P' j4 J% \' w# c7 a
以全球鑽石膜生成及拋光技術(shù)來論,日本住友電工長期以來一直在CVD領(lǐng)域從事不同性狀與品質(zhì)需求的CVD Diamond產(chǎn)品,供應(yīng)工業(yè)加工用途、或為次世代電子元件的產(chǎn)品。, d; P+ p M" L" w; s- n
1995年住友電工發(fā)表大面積3英吋CVD Diamond Wafer製作及研磨試作成功;1998年發(fā)表利用大面積CVD Diamond Wafer製作2.5G Hz Diamond SAW元件,用於高頻產(chǎn)品;2001年發(fā)表5G Hz Diamond SAW發(fā)振元件;2004年將CVD Diamond Wafer及 Diamond SAW關(guān)鍵製作技術(shù)授權(quán)並導入精工EPSON。6 V1 w. K& W' Y
EPSON在Diamond SAW元件早已開發(fā)完備商品化,並繼續(xù)開發(fā)更高頻率元件、半導體場發(fā)射元件、高純度奈米多晶Diamond、高性能Diamond Heatsink元件、LASER Diamond Heatsink、高功率FET等元件,且多數(shù)已開發(fā)完成,但這幾年來以上這些高階元件遲遲未見市場化,其關(guān)鍵在於CVD Diamond Wafer未能有效量產(chǎn)化,材料取得不易,製造成本太高,無法降低成本之原因。
4 |) H3 Z. `4 ^, J3 g: X我公司完成以4吋 1mm矽晶圓基材、達成面粗度8nm鑽石薄膜晶片,單機日產(chǎn)8片,良率達95%之成果,完全可達商業(yè)量產(chǎn)化之要求 |
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