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CCD和CMOS的區別--影像測量硬件選擇

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發表于 2008-3-21 09:13:01 | 只看該作者 |倒序瀏覽 |閱讀模式
有鑒于許多網友詢問 CCD 與 CMOS 的主要差別。我們暫時撇開復雜的技術文字,透過簡單的比較來看這兩種不同類型,作用相同的影像感光元件。
; ^5 a: h# ~; q5 a0 l7 h: Y  不管,CCD 或 CMOS,基本上兩者都是利用矽感光二極體(photodiode)進行光與電的轉換。這種轉換的原理與各位手上具備“太陽電能”電子計算機的“太陽能電池”效應相近,光線越強、電力越強;反之,光線越弱、電力也越弱的道理,將光影像轉換為電子數字信號。7 o) c7 X& V/ u8 x+ Z& e2 ]3 I
, \" i5 h; y( o* M7 t$ J
  比較 CCD 和 CMOS 的結構,ADC的位置和數量是最大的不同。簡單的說,按我們在上一講“CCD 感光元件的工作原理(上)”中所提之內容。CCD每曝光一次,在快門關閉后進行像素轉移處理,將每一行中每一個像素(pixel)的電荷信號依序傳入“緩沖器”中,由底端的線路引導輸出至 CCD 旁的放大器進行放大,再串聯 ADC 輸出;相對地,CMOS 的設計中每個像素旁就直接連著 ADC(放大兼類比數字信號轉換器),訊號直接放大并轉換成數字信號。- H% ^. V$ W0 C# X, H* ]0 T

* _2 t( f4 X5 M2 y5 E0 r$ w) \5 q
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/ M- a4 [: b7 Q" ^6 H兩者優缺點的比較
- z! `- K  R+ b7 P5 g! J8 O/ r  K0 R6 E, L8 d9 P
CCD CMOS ) u0 P7 _( d( p2 B
設計 單一感光器 感光器連接放大器 2 ?+ l" F' `$ d
靈敏度 同樣面積下高 感光開口小,靈敏度低 9 V8 |2 v! S, r- Q" X
成本 線路品質影響程度高,成本高 CMOS整合集成,成本低
& @0 O* Z* E) X$ r/ y解析度 連接復雜度低,解析度高 低,新技術高
" @" J" [/ ?/ o5 S) }" R噪點比 單一放大,噪點低 百萬放大,噪點高 ; h8 \) y' f4 k& s6 @: s$ c6 f
功耗比 需外加電壓,功耗高 直接放大,功耗低 $ x5 Q2 z& z  e+ N
7 \- u- Z, M/ V# p+ K
  由于構造上的基本差異,我們可以表列出兩者在性能上的表現之不同。CCD的特色在于充分保持信號在傳輸時不失真(專屬通道設計),透過每一個像素集合至單一放大器上再做統一處理,可以保持資料的完整性;CMOS的制程較簡單,沒有專屬通道的設計,因此必須先行放大再整合各個像素的資料。. z' j7 c5 ~8 W  n

: H0 i4 o9 g6 ~8 a: [  整體來說,CCD 與 CMOS 兩種設計的應用,反應在成像效果上,形成包括 ISO 感光度、制造成本、解析度、噪點與耗電量等,不同類型的差異:% x9 k$ ^3 v( `" v: q. b

; u! G* y7 P9 Q2 H5 W1 N  ISO 感光度差異:由于 CMOS 每個像素包含了放大器與A/D轉換電路,過多的額外設備壓縮單一像素的感光區域的表面積,因此 相同像素下,同樣大小之感光器尺寸,CMOS的感光度會低于CCD。
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  成本差異:CMOS 應用半導體工業常用的 MOS制程,可以一次整合全部周邊設施于單晶片中,節省加工晶片所需負擔的成本 和良率的損失;相對地 CCD 采用電荷傳遞的方式輸出資訊,必須另辟傳輸通道,如果通道中有一個像素故障(Fail),就會導致一整排的 訊號壅塞,無法傳遞,因此CCD的良率比CMOS低,加上另辟傳輸通道和外加 ADC 等周邊,CCD的制造成本相對高于CMOS。6 P+ k- W5 U& F3 J3 y

/ `) x4 T# {( I: \* Q, D  解析度差異:在第一點“感光度差異”中,由于 CMOS 每個像素的結構比 CCD 復雜,其感光開口不及CCD大, 相對比較相同尺寸的CCD與CMOS感光器時,CCD感光器的解析度通常會優于CMOS。不過,如果跳脫尺寸限制,目前業界的CMOS 感光原件已經可達到1400萬 像素 / 全片幅的設計,CMOS 技術在量率上的優勢可以克服大尺寸感光原件制造上的困難,特別是全片幅 24mm-by-36mm 這樣的大小。
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  噪點差異:由于CMOS每個感光二極體旁都搭配一個 ADC 放大器,如果以百萬像素計,那么就需要百萬個以上的 ADC 放大器,雖然是統一制造下的產品,但是每個放大器或多或少都有些微的差異存在,很難達到放大同步的效果,對比單一個放大器的CCD,CMOS最終計算出的噪點就比較多。( h  k5 A4 Y8 D. C
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  耗電量差異:CMOS的影像電荷驅動方式為主動式,感光二極體所產生的電荷會直接由旁邊的電晶體做放大輸出;但CCD卻為被動式, 必須外加電壓讓每個像素中的電荷移動至傳輸通道。而這外加電壓通常需要12伏特(V)以上的水平,因此 CCD 還必須要有更精密的電源線路設計和耐壓強度,高驅動電壓使 CCD 的電量遠高于CMOS。- g' k  S! i$ g! H2 `
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  盡管 CCD 在影像品質等各方面均優于CMOS,但不可否認的CMOS具有低成本、低耗電以及高整合度的特性。 由于數碼影像的需求熱烈,CMOS的低成本和穩定供貨,成為廠商的最愛,也因此其制造技術不斷地改良更新,使得 CCD 與 CMOS 兩者的差異逐漸縮小 。新一代的CCD朝向耗電量減少作為改進目標,以期進入照相手機的行動通訊市場;CMOS系列,則開始朝向大尺寸面積與高速影像處理晶片統合,藉由后續的影像處理修正噪點以及畫質表現, 特別是 Canon 系列的 EOS D30 、EOS 300D 的成功,足見高速影像處理晶片已經可以勝任高像素 CMOS 所產生的影像處理時間與能力的縮短;另外,大尺寸全片幅則以 Kodak DCS Pro14n、DCS Pro/n、DCS Pro/c 這一系列的數碼機身為號召,CMOS未來跨足高階的影像市場產品,前景可期。
1 y, b7 m' a! x! b% @6 ~    專業測量以及高級影像測量還是主要以CCD為主。
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發表于 2008-3-21 13:34:30 | 只看該作者

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樓主知道的好清楚哦,我只知道CCD比CMOS成像質量要好
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 樓主| 發表于 2008-3-29 21:37:21 | 只看該作者
過獎!謝謝!大家一起分享了
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