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CCD和CMOS的區別--影像測量硬件選擇

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發表于 2008-3-21 09:13:01 | 只看該作者 |倒序瀏覽 |閱讀模式
有鑒于許多網友詢問 CCD 與 CMOS 的主要差別。我們暫時撇開復雜的技術文字,透過簡單的比較來看這兩種不同類型,作用相同的影像感光元件。
9 P- R1 B! t5 z5 \; i  不管,CCD 或 CMOS,基本上兩者都是利用矽感光二極體(photodiode)進行光與電的轉換。這種轉換的原理與各位手上具備“太陽電能”電子計算機的“太陽能電池”效應相近,光線越強、電力越強;反之,光線越弱、電力也越弱的道理,將光影像轉換為電子數字信號。8 ]- B9 d+ n' a7 E0 `) u! @' g
3 H0 Q) O+ Y: U1 S. X# q8 y
  比較 CCD 和 CMOS 的結構,ADC的位置和數量是最大的不同。簡單的說,按我們在上一講“CCD 感光元件的工作原理(上)”中所提之內容。CCD每曝光一次,在快門關閉后進行像素轉移處理,將每一行中每一個像素(pixel)的電荷信號依序傳入“緩沖器”中,由底端的線路引導輸出至 CCD 旁的放大器進行放大,再串聯 ADC 輸出;相對地,CMOS 的設計中每個像素旁就直接連著 ADC(放大兼類比數字信號轉換器),訊號直接放大并轉換成數字信號。: Q/ O$ [# {! u

# f- H; K  f* |5 V2 q7 I/ q& x6 z3 f$ J4 ?) T
0 Z7 P: @% w8 D/ ?6 \

1 I8 @* e/ P7 L9 R* x6 t2 X4 |兩者優缺點的比較; n* ~) H# U3 i$ Q
/ W( B. Y/ h- U4 s
CCD CMOS
+ d4 K/ X5 M" V9 V* C4 t設計 單一感光器 感光器連接放大器 . Y% i. z# s0 O8 _8 A( ~
靈敏度 同樣面積下高 感光開口小,靈敏度低 ; t' S+ I8 {/ o# \3 j4 U# \: ?
成本 線路品質影響程度高,成本高 CMOS整合集成,成本低
- |0 S1 x; c3 b( t! u7 s/ a% f5 M解析度 連接復雜度低,解析度高 低,新技術高 - q+ Q' A' ^* g8 g: I2 M( v
噪點比 單一放大,噪點低 百萬放大,噪點高 . W- m4 \0 T- S* \, P
功耗比 需外加電壓,功耗高 直接放大,功耗低
/ V! p' B  A* @9 v9 w5 r
4 T% h9 X2 ]) x2 ^' X+ C  由于構造上的基本差異,我們可以表列出兩者在性能上的表現之不同。CCD的特色在于充分保持信號在傳輸時不失真(專屬通道設計),透過每一個像素集合至單一放大器上再做統一處理,可以保持資料的完整性;CMOS的制程較簡單,沒有專屬通道的設計,因此必須先行放大再整合各個像素的資料。
( D' h3 o6 A; I9 m$ n  C: a' h9 z( A" I7 ^5 X9 d% N7 b
  整體來說,CCD 與 CMOS 兩種設計的應用,反應在成像效果上,形成包括 ISO 感光度、制造成本、解析度、噪點與耗電量等,不同類型的差異:  D7 n0 c$ L0 K' [

/ G$ l+ G2 c4 @2 e" i# \0 n  ISO 感光度差異:由于 CMOS 每個像素包含了放大器與A/D轉換電路,過多的額外設備壓縮單一像素的感光區域的表面積,因此 相同像素下,同樣大小之感光器尺寸,CMOS的感光度會低于CCD。
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  成本差異:CMOS 應用半導體工業常用的 MOS制程,可以一次整合全部周邊設施于單晶片中,節省加工晶片所需負擔的成本 和良率的損失;相對地 CCD 采用電荷傳遞的方式輸出資訊,必須另辟傳輸通道,如果通道中有一個像素故障(Fail),就會導致一整排的 訊號壅塞,無法傳遞,因此CCD的良率比CMOS低,加上另辟傳輸通道和外加 ADC 等周邊,CCD的制造成本相對高于CMOS。
8 O/ D* h9 d- K5 l( N1 D' G9 ?6 N1 g4 B1 ^- i
  解析度差異:在第一點“感光度差異”中,由于 CMOS 每個像素的結構比 CCD 復雜,其感光開口不及CCD大, 相對比較相同尺寸的CCD與CMOS感光器時,CCD感光器的解析度通常會優于CMOS。不過,如果跳脫尺寸限制,目前業界的CMOS 感光原件已經可達到1400萬 像素 / 全片幅的設計,CMOS 技術在量率上的優勢可以克服大尺寸感光原件制造上的困難,特別是全片幅 24mm-by-36mm 這樣的大小。
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  噪點差異:由于CMOS每個感光二極體旁都搭配一個 ADC 放大器,如果以百萬像素計,那么就需要百萬個以上的 ADC 放大器,雖然是統一制造下的產品,但是每個放大器或多或少都有些微的差異存在,很難達到放大同步的效果,對比單一個放大器的CCD,CMOS最終計算出的噪點就比較多。
9 J# M; D" v( Z4 ?- V, K
) L. N) y8 |, E4 n  ^/ z  耗電量差異:CMOS的影像電荷驅動方式為主動式,感光二極體所產生的電荷會直接由旁邊的電晶體做放大輸出;但CCD卻為被動式, 必須外加電壓讓每個像素中的電荷移動至傳輸通道。而這外加電壓通常需要12伏特(V)以上的水平,因此 CCD 還必須要有更精密的電源線路設計和耐壓強度,高驅動電壓使 CCD 的電量遠高于CMOS。, w+ J! q5 C! d" y5 v  [- e) }
3 ^. ^! A8 m: E$ y
  盡管 CCD 在影像品質等各方面均優于CMOS,但不可否認的CMOS具有低成本、低耗電以及高整合度的特性。 由于數碼影像的需求熱烈,CMOS的低成本和穩定供貨,成為廠商的最愛,也因此其制造技術不斷地改良更新,使得 CCD 與 CMOS 兩者的差異逐漸縮小 。新一代的CCD朝向耗電量減少作為改進目標,以期進入照相手機的行動通訊市場;CMOS系列,則開始朝向大尺寸面積與高速影像處理晶片統合,藉由后續的影像處理修正噪點以及畫質表現, 特別是 Canon 系列的 EOS D30 、EOS 300D 的成功,足見高速影像處理晶片已經可以勝任高像素 CMOS 所產生的影像處理時間與能力的縮短;另外,大尺寸全片幅則以 Kodak DCS Pro14n、DCS Pro/n、DCS Pro/c 這一系列的數碼機身為號召,CMOS未來跨足高階的影像市場產品,前景可期。$ N  ]- a0 M- x7 U7 C
    專業測量以及高級影像測量還是主要以CCD為主。
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發表于 2008-3-21 13:34:30 | 只看該作者

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樓主知道的好清楚哦,我只知道CCD比CMOS成像質量要好
3#
 樓主| 發表于 2008-3-29 21:37:21 | 只看該作者
過獎!謝謝!大家一起分享了
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