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13、嵌入式系統的評價方法：測量法和模型法 （1）測量法是最直接最基本的方法，需要解決兩個問題： A、根據研究的目的，確定要測量的系統參數。 B、選擇測量的工具和方式。 （2）測量的方式有兩種：采樣方式和事件跟蹤方式。 （3）模型法分為分析模型法和模擬模型法。分析模型法是用一些數學方程去刻畫系統的模型，而模擬模型法是用模擬程序的運行去動態表達嵌入式系統的狀態，而進行系統統計分析，得出性能指標。 （4）分析模型法中使用最多的是排隊模型，它包括三個部分：輸入流、排隊規則和服務機構。 （5）使用模型對系統進行評價需要解決3個問題：設計模型、解模型、校準和證實模型。 接口技術1. Flash存儲器（1）Flash存儲器是一種非易失性存儲器，根據結構的不同可以將其分為NOR Flash和NAND Flash兩種。 （2）Flash存儲器的特點： A、區塊結構：在物理上分成若干個區塊，區塊之間相互獨立。 B、先擦后寫：Flash的寫操作只能將數據位從1寫成0，不能從0寫成1，所以在對存儲器進行寫入之前必須先執行擦除操作，將預寫入的數據位初始化為1。擦除操作的最小單位是一個區塊，而不是單個字節。 C、操作指令：執行寫操作，它必須輸入一串特殊指令（NOR Flash）或者完成一段時序（NAND Flash）才能將數據寫入。 D、位反轉：由于Flash的固有特性，在讀寫過程中偶爾會產生一位或幾位的數據錯誤。位反轉無法避免，只能通過其他手段對結果進行事后處理。 E、壞塊：區塊一旦損壞，將無法進行修復。對已損壞的區塊操作其結果不可預測。 （3）NOR Flash的特點： 應用程序可以直接在閃存內運行，不需要再把代碼讀到系統RAM中運行。NOR Flash的傳輸效率很高，在1MB~4MB的小容量時具有很高的成本效益，但是很低的寫入和擦除速度大大影響了它的性能。 （4）NAND Flash的特點 能夠提高極高的密度單元，可以達到高存儲密度，并且寫入和擦除的速度也很快，這也是為何所有的U盤都使用NAND Flash作為存儲介質的原因。應用NAND Flash的困難在于閃存需要特殊的系統接口。 （5）NOR Flash與NAND Flash的區別： A、NOR Flash的讀速度比NAND Flash稍快一些。 B、NAND Flash的擦除和寫入速度比NOR Flash快很多。 C、NAND Flash的隨機讀取能力差，適合大量數據的連續讀取。 D、NOR Flash帶有SRAM接口，有足夠的地址引進來尋址，可以很容易地存取其內部的每一個字節。NAND Flash的地址、數據和命令共用8位總線（有寫公司的產品使用16位），每次讀寫都要使用復雜的I/O接口串行地存取數據。 E、NOR Flash的容量一般較小，通常在1MB~8MB之間；NAND Flash只用在8MB以上的產品中。因此，NOR Flash只要應用在代碼存儲介質中，NAND Flash適用于資料存儲。 F、NAND Flash中每個塊的最大擦寫次數是一百萬次，而NOR Flash是十萬次。 G、NOR Flash可以像其他內存那樣連接，非常直接地使用，并可以在上面直接運行代碼；NAND Flash需要特殊的I/O接口，在使用的時候，必須先寫入驅動程序，才能繼續執行其他操作。因為設計師絕不能向壞塊寫入，這就意味著在NAND Flash上自始至終必須進行虛擬映像。 H、NOR Flash用于對數據可靠性要求較高的代碼存儲、通信產品、網絡處理等領域，被成為代碼閃存；NAND Flash則用于對存儲容量要求較高的MP3、存儲卡、U盤等領域，被成為數據閃存信盈達嵌入式企鵝要妖氣嗚嗚吧久零就要。 2、RAM存儲器（1）SRAM的特點： SRAM表示靜態隨機存取存儲器，只要供電它就會保持一個值，它沒有刷新周期，由觸發器構成基本單元，集成度低，每個SRAM存儲單元由6個晶體管組成，因此其成本較高。它具有較高速率，常用于高速緩沖存儲器。 通常SRAM有4種引腳： CE：片選信號，低電平有效。
0 Q1 {8 f$ i: n1 kR/W：讀寫控制信號。
0 n% M) g6 k4 x+ L- L0 ?" v* WADDRESS：一組地址線。6 B9 o& g @( ~7 _: `1 `
DATA：用于數據傳輸的一組雙向信號線。 （2）DRAM的特點： DRAM表示動態隨機存取存儲器。這是一種以電荷形式進行存儲的半導體存儲器。它的每個存儲單元由一個晶體管和一個電容器組成，數據存儲在電容器中。電容器會由于漏電而導致電荷丟失，因而DRAM器件是不穩定的。它必須有規律地進行刷新，從而將數據保存在存儲器中。 DRAM的接口比較復雜，通常有一下引腳： CE：片選信號，低電平有效。6 g: z# [3 R0 {" {& C" J
R/W：讀寫控制信號。
# S' \7 o4 n- X9 b. DRAS：行地址選通信號，通常接地址的高位部分。. F3 e2 g& h3 N5 f3 v" v
CAS：列地址選通信號，通常接地址的低位部分。
4 w; P5 I3 I8 M# s8 W7 NADDRESS：一組地址線。
# s7 b5 {8 s( @( B8 Z! mDATA：用于數據傳輸的一組雙向信號線。 （3）SDRAM的特點： SDRAM表示同步動態隨機存取存儲器。同步是指內存工作需要同步時鐘，內部的命令發送與數據的傳輸都以它為基準；動態是指存儲器陣列需要不斷的刷新來保證數據不丟失。它通常只能工作在133MHz的主頻。 （4）DDRAM的特點 DDRAM表示雙倍速率同步動態隨機存取存儲器，也稱DDR。DDRAM是基于SDRAM技術的，SDRAM在一個時鐘周期內只傳輸一次數據，它是在時鐘的上升期進行數據傳輸；而DDR內存則是一個時鐘周期內傳輸兩次次數據，它能夠在時鐘的上升期和下降期各傳輸一次數據。在133MHz的主頻下，DDR內存帶寬可以達到133×64b/8×2＝2.1GB/s。 ## 3、硬盤、光盤、CF卡、SD卡 4、GPIO原理與結構GPIO是I/O的最基本形式，它是一組輸入引腳或輸出引腳。有些GPIO引腳能夠加以編程改變工作方向，通常有兩個控制寄存器：數據寄存器和數據方向寄存器。數據方向寄存器設置端口的方向。如果將引腳設置為輸出，那么數據寄存器將控制著該引腳狀態。若將引腳設置為輸入，則此輸入引腳的狀態由引腳上的邏輯電路層來實現對它的控制。 5、A/D接口（1）A/D轉換器是把電模擬量轉換為數字量的電路。實現A/D轉換的方法有很多，常用的方法有計數法、雙積分法和逐次逼進法。 （2）計數式A/D轉換法 其電路主要部件包括：比較器、計數器、D/A轉換器和標準電壓源。 其工作原理簡單來說就是，有一個計數器，從0開始進行加1計數，每進行一次加1，該數值作為D/A轉換器的輸入，其產生一個比較電壓VO與輸入模擬電壓VIN進行比較。如果VO小于VIN則繼續進行加1計數，直到VO大于VIN，這時計數器的累加數值就是A/D轉換器的輸出值。 這種轉換方式的特點是簡單，但是速度比較慢，特別是模擬電壓較高時，轉換速度更慢。例如對于一個8位A/D轉換器，若輸入模擬量為最大值，計數器要從0開始計數到255，做255次D/A轉換和電壓比較的工作，才能完成轉換。 （3）雙積分式A/D轉換法 其電路主要部件包括：積分器、比較器、計數器和標準電壓源。 其工作原理是，首先電路對輸入待測電壓進行固定時間的積分，然后換為標準電壓進行固定斜率的反向積分，反向積分進行到一定時間，便返回起始值。由于使用固定斜率，對標準電壓進行反向積分的時間正比于輸入模擬電壓值，輸入模擬電壓越大，反向積分回到起始值的時間越長。只要用標準的高頻時鐘脈沖測定反向積分花費的時間，就可以得到相應于輸入模擬電壓的數字量，也就完成了A/D轉換。 其特點是，具有很強的抗工頻干擾能力，轉換精度高，但轉換速度慢，通常轉換頻率小于10Hz，主要用于數字式測試儀表、溫度測量等方面。 （4）逐次逼近式A/D轉換法 其電路主要部件包括：比較器、D/A轉換器、逐次逼近寄存器和基準電壓源。 其工作原理是，實質上就是對分搜索法，和平時天平的使用原理一樣。在進行A/D轉換時，由D/A轉換器從高位到低位逐位增加轉換位數，產生不同的輸出電壓，把輸入電壓與輸出電壓進行比較而實現。首先使最高位為1，這相當于取出基準電壓的1/2與輸入電壓比較，如果在輸入電壓小于1/2的基準電壓，則最高位置0，反之置1。之后，次高位置1，相當于在1/2的范圍中再作對分搜索，以此類推，逐次逼近。 其特點是，速度快，轉換精度高，對N位A/D轉換器只需要M個時鐘脈沖即可完成，一般可用于測量幾十到幾百微秒的過渡過程的變化，是目前應用最普遍的轉換方法。 （5）A/D轉換的重要指標（有可能考一些簡單的計算） A、分辨率：反映A/D轉換器對輸入微小變化響應的能力，通常用數字輸出最低位（LSB）所對應的模擬電壓的電平值表示。n位A/D轉換器能反映1/2n滿量程的模擬輸入電平。 B、量程：所能轉換的模擬輸入電壓范圍，分為單極性和雙極性兩種類型。 C、轉換時間：完成一次A/D轉換所需要的時間，其倒數為轉換速率。 D、精度：精度與分辨率是兩個不同的概念，即使分辨率很高，也可能由于溫漂、線性度等原因使其精度不夠高。精度有絕對精度和相對精度兩種表示方法。通常用數字量的最低有效位LSB的分數值來表示絕對精度，用其模擬電壓滿量程的百分比來表示相對精度。 例如，滿量程10V，10位A/D芯片，若其絕對精度為±1/2LSB，則其最小有效位LSB的量化單位為：10/1024＝9.77mv，其絕對精度為9.77mv/2＝4.88mv，相對精度為：0.048％。 / P! L$ f. r, X# R: g
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發表于 2017-9-19 10:51:52
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