前沿科技之新的磁隧道結技術

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隨機存取存儲器（RAM）是一種快速電子設備，可在計算機上臨時存儲數據。傳統的RAM基于電流。為了研發出更節能，更高效，容量更大的RAM，硬件研發人員開始把注意力轉到了基于磁場的RAM上。然而，想要縮小基于磁場RAM的體積，熱不穩定性會成為障礙。
新加坡科技研究局數據存儲研究所（A*STAR Data Storage Institute）的科學家找到了一種解決方法，也許可以讓小型磁存儲器在較高的溫度下保持穩定，同時耗電量更低。這意味著更多的數據能以更低的價格存儲在一張芯片上。研究人員把磁隧道結（MTJ）應用到了存儲器中。之前的研究表明，電場只有作用在相當大的設備（7微米）上可以改進磁隧道結的性質，但體積較大的結構讀寫速度較慢，也不容易與其他設備兼容。
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- g$ x, D" W$ X數據存儲研究所的科學家用CoFeB-MgO制成150納米的MTJ，連在電極兩端。這種MTJ體積更小，也可儲存更多的信息。新的磁存儲器可以把改變磁化的磁場需求降低30%，所以在存儲器上記錄數據所需的電流密度也降低了。

7 A5 g+ z! E# y+ @, e展望：
1 n1 j' v" C8 d新的設備可以改進數據的復制速度。也就是說，從移動硬盤把數據轉移到計算機里的時間會變得更短，硬盤讀取速度也會更快。

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俺們期待新型計算機的到來！