英特爾1.8nm工藝搶先量產，臺積電：不評價

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在今年IEDM會議（國際電子器件會議）上，英特爾公布了其工藝技術路線圖以及未來三到四年內可用的芯片設計愿景。

該計劃透露了英特爾 18A（等效1.8 nm級）工藝的最新時間表，預計將該工藝提前至2024 年下半年進入大批量制造 (HVM)，這將遠遠超過臺積電2nm工藝的進度。

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面對英特爾的挑戰，臺積電聯席CEO魏哲家在近期回應稱，他不會評價競爭對手的發展，但同時，“臺積電的N3工藝率先實現大批量生產，是當前最先進的，N2工藝還會再次這么做，甚至會擴大領導地位?！?/font>

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據報道稱，英特爾18A工藝是該公司掌握五代CPU工藝中的最后一環，是20A工藝的改進版，每瓦性能比提升10%，同時它也是對外代工的主力。也就在前不久，英特爾與ARM達成了合作協議，將基于18A工藝為ARM生產芯片。

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而臺積電的2nm工藝將放棄FinFET晶體管結構，首次使用GAA晶體管，相較于其N3E（3nm的低成本版）工藝，在相同功耗下，臺積電2nm工藝的性能將提升10~15%。但相較于前代工藝，升級幅度并不大。

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在英特爾看來，18A工藝是與臺積電競爭的關鍵，后者的2nm工藝預計在2025年才能量產。