|
半導(dǎo)體材料是一種導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間、可用來制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料,例如硼、金剛石、鍺、硅、灰錫、銻、硒、碲等,或者 SiC 這種合成材料。
1 H, _* e5 l4 @, L% ^1 ~) q# N9 J6 z1 f
現(xiàn)階段,人類文明現(xiàn)代科技便是建立在以硅為代表的這類半導(dǎo)體材料之上的成果,從太陽能電池到芯片都離不開它,但因?qū)岷推渌蚬枰沧⒍藷o法成為最理想的半導(dǎo)體材料。5 q q; `3 k; r' I
' D) Q) r" k; `; Z# e
立方砷化硼是一種媲美金剛石的超高熱導(dǎo)率半導(dǎo)體,自2018 年以來受到廣泛關(guān)注,更被稱為可能是最好的半導(dǎo)體材料,但一直不確定是否能商用化。直到最近,麻省理工學(xué)院研究人員首次取得重要科學(xué)進展,于實驗中發(fā)現(xiàn)立方砷化硼晶體為電子、電洞提供高載流子遷移率,擴大該材料于商業(yè)領(lǐng)域的潛在用途,比如提高CPU 速度。
& a8 M. [% }. t' d$ m$ k
. V& _& Q$ W+ e& b( N% y) u7 月 22 日,來自美國麻省理工學(xué)院、休斯頓大學(xué)和其它機構(gòu)的科研團隊發(fā)現(xiàn)了一種名為“立方砷化硼”的材料突破了這兩個限制,它既能為電子和空穴提供高遷移率,又有優(yōu)良的電導(dǎo)率,而且還具有極高的導(dǎo)熱特性。3 d' }2 }9 ^2 g0 E& H& h+ |2 h5 D
; ~( C& t5 {* L& b" Z科學(xué)家表示,這是迄今為止發(fā)現(xiàn)的最好的半導(dǎo)體材料,或許放眼未來也會是最好的那個。相關(guān)成果已經(jīng)發(fā)表在近期的《科學(xué)》雜志上。 X/ J/ N7 K( Z* d/ ^- E. m
6 g: K, C, m! Q2 W( t o
雖然科學(xué)家證明了立方砷化硼出色的熱性能和電性能,看起來幾乎是理想的半導(dǎo)體材料,但是否能真正進入市場與設(shè)備應(yīng)用還有待商榷,因為立方砷化硼材料的其他性能還需要測試,比如長期穩(wěn)定性,以及最巨大的挑戰(zhàn):大規(guī)模商業(yè)化生產(chǎn)純化立方砷化硼。硅花了幾十年時間才走到如今制造純度超過99.99999999% 的技術(shù),未來是否可能對新材料投入高額資金研發(fā),還有待觀察。
# K5 E) y2 i. u4 K, l" X% o9 |% `2 N U+ \% Q8 ]9 d
當(dāng)然,到目前為止,立方砷化硼還只能在實驗室小規(guī)模量產(chǎn)和測試,而且不均勻。還需要做更多的工作來確定立方砷化硼是否能以一種實用、經(jīng)濟的形式制造出來,目前來看要想取代地球上無處不在的硅還有很長一段路要走。但研究人員說,即使在不久的將來,這種材料也可能找到一些用途,使其獨特的特性產(chǎn)生重大影響。. R& [' y4 ?7 b( O. z! ^5 i) K
7 Y" b& A' Y. L/ I- h* l
作者包括多名華裔科學(xué)家,其中一名曾被美國政府逮捕入獄一年!
0 D+ K; |) q5 r2 R b7 }" S# U. {& c! b# D$ q
可以看到作者欄中包括多位華人,例如麻省理工學(xué)院機械工程教授陳剛、任志峰(休斯敦大學(xué))等。
8 _7 x% e7 `0 B+ _- j# f |
|