|
如今的 7nm EUV 芯片，晶體管多達 100 億個，它們是怎么樣安上去的呢？
5 {1 @5 o3 p- e: ?晶體管并非是安裝上去的，芯片制造其實分為沙子 - 晶圓，晶圓 - 芯片這樣的過程，而在芯片制造之前，IC 設計要負責設計好芯片，然后交給晶圓代工廠。
H) t7 M& u3 h0 M T, P芯片設計分為前端設計和后端設計，前端設計（也稱邏輯設計）和后端設計（也稱物理設計）并沒有統一嚴格的界限，涉及到與工藝有關的設計就是后端設計。芯片設計要用專業的 EDA 工具。
$ K" I2 W' N2 x) l: d
![]() 9 c/ Q1 V0 f5 S' I- g
8 G* j- F2 P9 c$ t8 R$ b8 ]
如果我們將設計的門電路放大，白色的點就是襯底，還有一些綠色的邊框就是摻雜層。
& {4 n8 o0 q* t |5 S; ?5 \3 x |
![]()
$ [0 v% d8 ^! f% M
# E$ @. f( R% E9 ^4 a0 A當芯片設計好了之后，就要制造出來，晶體管就是在晶圓上直接雕出來的，晶圓越大，芯片制程越小，就能切割出更多的芯片，效率就會更高。 ( |& C4 @) R5 N1 n9 R: O* j; P5 K
舉個例子，就好像切西瓜一樣，西瓜更大的，但是原來是切成 3 厘米的小塊，現在換成了 2 厘米，是不是塊數就更多。所以現在的晶圓從 2 寸、4 寸、6 寸、8 寸到現在 16 寸大小。
3 D5 x. ?- w6 {2 g制程這個概念，其實就是柵極的大小，也可以成為柵長，它的距離越短，就可以放下更多的晶體管，這樣就不會讓芯片不會因技術提升而變得更大，使用更先進的制造工藝，芯片的面積和功耗就越小。但是我們如果將柵極變更小，源極和漏極之間流過的電流就會越快，工藝難度會更大。
. J2 Q6 u# U) I! D
![]()
, |$ e: I, k! N6 o
8 k i8 B& U _- A8 x! o芯片制造共分為七大生產區域，分別是擴散、光刻、刻蝕、離子注入、薄膜生長、拋光、金屬化。
3 |+ |7 V9 m. {其中雕出晶圓的最重要的兩個步驟就是光刻和蝕刻，光刻技術是一種精密的微細加工技術。
) ~: H2 {. n9 V9 o% }常規光刻技術是采用波長為 2000～4500 的紫外光作為圖像信息載體，以光致抗光刻技術蝕劑為中間（圖像記錄）媒介實現圖形的變換、轉移和處理，最終把圖像信息傳遞到晶片(主要指硅片)或介質層上的一種工藝。
) s- _( W0 H% n4 Q0 P. Z
![]()
8 G+ p; y+ a2 Y
2 d6 ^# R a! h) t5 J光刻技術就是把芯片制作所需要的線路與功能區做出來。簡單來說芯片設計人員設計的線路與功能區“印進”晶圓之中，類似照相機照相。
& _; D# ~. j" e. ]$ f+ W照相機拍攝的照片是印在底片上，而光刻刻的不是照片，而是電路圖和其他電子元件。
, W* H, w" N3 w. g
![]()
2 h: A) ^' h) ~
. P4 _( I2 j/ N$ e' ], K而蝕刻技術就是利用化學或物理方法，將抗蝕劑薄層未掩蔽的晶片表面或介質層除去，從而在晶片表面或介質層上獲得與抗蝕劑薄層圖形完全一致的圖形。
4 v9 c: l) b8 @! \集成電路各功能層是立體重疊的，因而光刻工藝總是多次反復進行。例如，大規模集成電路要經過約 10 次光刻才能完成各層圖形的全部傳遞。 / z: b! {; m- f4 V. c) D7 Z5 G
在半導體制造中有兩種基本的刻蝕工藝：干法刻蝕和濕法腐蝕。目前主流所用的還是干法刻蝕工藝，利用干法刻蝕工藝的就叫等離子體蝕刻機。
. L% v; f7 f' I2 k# _在集成電路制造過程中需要多種類型的干法刻蝕工藝，應用涉及硅片上各種材料。被刻蝕材料主要包括介質、硅和金屬等，通過與光刻、沉積等工藝多次配合可以形成完整的底層電路、柵極、絕緣層以及金屬通路等。
![]()
+ r: @) y1 e- d# _$ ~5 Q; C; V- w5 Y+ D" C
在涂滿光刻膠的晶圓（或者叫硅片）上蓋上事先做好的光刻板，然后用紫外線隔著光刻板對晶圓進行一定時間的照射。原理就是利用紫外線使部分光刻膠變質，易于腐蝕。
7 @- a- g- J3 `
![]()
( @$ H$ Y! F9 ]0 w* e* D; y1 Z/ q, X# w* w$ k2 _% g H
溶解光刻膠：光刻過程中曝光在紫外線下的光刻膠被溶解掉，清除后留下的圖案和掩模上的一致。 ![]()
/ i( c) R% {4 X( A P0 X( z- U9 }" P
“刻蝕”是光刻后，用腐蝕液將變質的那部分光刻膠腐蝕掉（正膠），晶圓表面就顯出半導體器件及其連接的圖形。然后用另一種腐蝕液對晶圓腐蝕，形成半導體器件及其電路。 ![]() 0 w8 B5 {! p: I" f# p8 L7 N; L7 X4 J
7 b. p0 U& {8 O# d4 S6 @3 m' |3 T
清除光刻膠：蝕刻完成后，光刻膠的使命宣告完成，全部清除后就可以看到設計好的電路圖案。 ![]() 4 _- q( O4 Z( h3 W% S, s8 q
6 W* ^7 I7 Q3 ]/ F" s6 i這里說一下，什么是光刻膠。我們要知道電路設計圖首先通過激光寫在光掩模版上，然后光源通過掩模版照射到附有光刻膠的硅片表面，引起曝光區域的光刻膠發生化學效應，再通過顯影技術溶解去除曝光區域或未曝光區域，使掩模版上的電路圖轉移到光刻膠上，最后利用刻蝕技術將圖形轉移到硅片上。 ![]()
5 e8 d7 P5 D+ D( G6 B9 X' o# D6 }3 a( R/ D Z, R/ o5 z
而光刻根據所采用正膠與負膠之分，劃分為正性光刻和負性光刻兩種基本工藝。在正性光刻中，正膠的曝光部分結構被破壞，被溶劑洗掉，使得光刻膠上的圖形與掩模版上圖形相同。
; B& |+ V' `- s7 Z3 M相反地，在負性光刻中，負膠的曝光部分會因硬化變得不可溶解，掩模部分則會被溶劑洗掉，使得光刻膠上的圖形與掩模版上圖形相反。 ![]()
/ w( n& {$ _6 a
7 m4 I; p- ]1 H4 i可以說，在晶圓制造中，直徑 30 厘米的圓形硅晶薄片穿梭在各種極端精密的加工設備之間，由它們在硅片表面制作出只有發絲直徑千分之一的溝槽或電路。 6 K- Z6 E4 S4 H% u/ z% w
熱處理、光刻、刻蝕、清洗、沉積……每塊晶圓要晝夜無休地被連續加工兩個月，經過成百上千道工序，最終集成了海量的微小電子器件，經切割、封裝，成為信息社會的基石——芯片。
. x- J8 {$ [, K% H) {; J# [1 J$ v
![]() 2 o. f2 T3 _8 c: F, ]5 i+ _. t
) ?8 n4 d; O5 C
這是一個 Top-down View 的 SEM 照片，可以非常清晰的看見 CPU 內部的層狀結構，越往下線寬越窄，越靠近器件層。 ! c* k% D! B8 V/ k/ G- b2 f6 ^
![]() 7 S1 A1 |4 j1 F3 I2 B
e! l4 M; `- z0 k6 J
這是 CPU 的截面視圖，可以清晰地看到層狀的 CPU 結構，由上到下有大約 10 層，其中最下層為器件層，即是 MOSFET 晶體管。 7 x8 ]& q7 m/ r* B5 K
![]() ) u6 x% y5 \' S7 v# U2 ` A
+ q: k2 m, m1 V4 C: M3 a: L' H
*來源：胖福的小木屋 原文地址 https://baijiahao.baidu.com/s?id=1661518867399354763&wfr=spider&for=pc | 
發表于 2022-4-18 15:00:56
QQ好友和群
QQ空間
