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標題: 美國黑科技：激光使電子設備不再依賴半導體材料 [打印本頁]
作者: 寂靜天花板 時間: 2016-11-30 12:38
標題: 美國黑科技：激光使電子設備不再依賴半導體材料
據(jù)外媒報道，美國加州大學圣地亞哥分校科學家開發(fā)了一種新型微電子設備，未來PC中由半導體材料制造的處理器可能被取而代之。; D2 u8 D, [* V7 X2 |7 }% ]( C+ _( A
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這一新技術還處于早期的開發(fā)階段，但它牽涉一些有趣的研究和頗具科幻色彩的概念。加州大學圣地亞哥分校工程師開發(fā)了一種由光控制的微電子設備，其中包含由金納米管構成的超穎表面。受到激光照射后，超穎表面能產(chǎn)生高強度電場。
這種不采用半導體材料的新型微電子設備，有朝一日將解決現(xiàn)代微處理器所面臨的一個難題。處理器依靠電子遷移正常運行，問題是，這些電子會不斷與原子碰撞，其中許多電子可能遷移不到它們的目的地——在處理器運行過程中，許多電子損耗了。
這種新型微電子設備通過“模仿”老式真空管——當然是在微尺度上，嘗試解決這一問題。設備中的蘑菇形狀納米管，在硅晶圓上形成超穎表面，兩者用二氧化硅層隔開。當施加低直流電壓、照射低能量紅外激光時，這一結構就能夠產(chǎn)生高強度電場，使電子能“自由”遷移。
這種試驗性技術能一次性使更多電子受到控制，受到更少干擾，這意味著采用這一技術制造的處理器性能將超過當前基于半導體材料的處理器。這一技術被應用在智能手機中還需要相當長一段時間，但它是解決現(xiàn)代電子設備面臨的一個幾乎無解問題的有趣概念和途徑。
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