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標題: CVD鑽石薄膜材料,中國人搞的 [打印本頁]
作者: jamesliu8029 時間: 2007-3-16 20:00
標題: CVD鑽石薄膜材料,中國人搞的
" q3 i& y1 o! d8 r# t/ l
h* e" J6 K% w4 k7 G0 v( w/ b0 y, } N
! z3 {+ a0 s- s. H& p
; W( Y' \4 ^0 w% H* @ X - 光分析 ( XRD ) – shimadzu XRD-6000 ( 40kv,30mA,step 0.02 deg.,speed 4 deg. / min.ffice ffice" /> 1 E( |( t% j% o2 }! N U, t- _( L
or 1 deg. / min.) |
. \2 g" r" Y/ @ \
. i# t5 t, o! g( m
4 O% @8 L, X. n
◎晶體結構 |
`( V9 u+ D+ Y# _/ z- |* V7 r- f) I3 y: n# e3 Y
Cubic |
: |3 ~8 B7 ^% ?8 G. l+ d/ M% M: Y& g( x
, K4 y$ H) s( A6 a' f
1 e8 P: _# D+ R: J' w ◎空間群 |
5 Y# K/ C9 z4 _& u" a2 ?8 b/ H" h; U9 U1 ^
Fd–ffice:smarttags" />3m |
/ f$ E; q/ z! J( S1 N5 e
1 l4 b( t7 i* ?+ I1 r8 k! ^6 D. J% E0 g8 X
◎晶格參數(R.T) |
. F1 Q( q9 @4 }! t
# h2 K2 P1 Z0 p, F/ z- y- n. x$ X (A) 3.570 |
5 Z( `5 [* x. a R
- E }- k2 p8 `# Q, o8 j. G% p: O4 Y) w l! P
◎密度(g/cm3) | 3 ~% M# W) f! d
( N; j9 h' P& ~# O9 s/ y3 e4 K 3.508 |
3 }8 n" a2 r9 p( L
. Z0 P/ N) J9 }3 R ~0 w$ `
4 A) g- k# ~! M0 ~
◎晶面(111) |
( m0 G& h: K* @2 Q: a6 g$ W/ {
- z) ]! K( J. a+ m" X0 m 202 |
v4 U4 p* |" x" f X6 R4 A0 o3 P
- `; Y! d& L* G9 ?' n' D- g
粗糙度分析 ( SPM ) - Thermo Microscopes CP Research ( 50 μm * 50 μm ) |
/ f, {; Z" G% _
! E0 s+ n; X; E( N% @% g$ d6 |* G1 N. b2 c$ X
◎中心線平均粗糙面Ra ( Ave. Rough ) | 0 ?- \3 a$ A! f2 w! i
0 P" u$ r2 [8 i6 u9 N' c 總面積 / 底長86.39 nm霧面,1.052 nm亮面。 |
/ S- T9 R, W; y" `& C
8 g7 x# A3 N0 ~, b. x" C! ~
0 y) _: K! \0 \1 _5 m# ]6 P ◎中心線均方根粗糙面Rq ( Rms Rough ) |
5 l# U" K8 Y! {. y! o) l+ Z# D7 m0 X* d
104.8 nm霧面,1.321 nm亮面。 |
% {4 h7 I+ K ~) ~1 f
9 |( d% S; `0 t% t- G7 F8 k: [/ S
0 v: s$ |9 B P, L: v* ` ◎Rp 250.4 nm霧面,2.592 nm亮面,Rv 189.1 nm霧面,6.156 nm亮面。 |
E: k$ f8 m( l$ g* q, A
9 M: I* c- |5 G5 ~
& {3 V6 f" B! q' i1 d# s ◎高低差異值為 8 nm 亮面。 |
7 t1 e) T& l* R1 Z+ s! d- Z8 J( e
% G( }- o8 |0 S( K
. d3 a. c2 ^3 W, z9 F- F5 \8 n6 H/ \
% D* S X8 [0 \) ~. b2 z' P- J# Y
, n! k2 d; u7 W1 ?4 L& Y$ W
3 M3 b/ l* f9 i8 t4 h0 j6 x
0 ?( m" P* }! J' X" ?- r
5 Z6 p U$ A/ U5 [) _3 b& m
7 c& c" w+ C! _' Z( M g1 f1 _
8 f# ]" h! }6 F* N# M8 N
/ F- G y2 Z! }/ L& I2 K! }
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0 { p9 A" n9 U n: P5 \, D
1 p0 }- g. _- q5 B, z. ^3 O' i% d' F
# {# y# E, w0 S% ^+ M7 u) j% T圖片:
+ x& N8 u2 P: P
顆粒顯微分析一
% c0 M1 E) W' r" o: A8 V2 W+ F t
http://images13.51.com/10/a/50/c6/jamesliu8029/c75c1677bcef434a879d7d44eeaad6f9.jpg
W7 u4 r L% n+ u+ C- z顆粒顯微分析二
# p* Z$ Z: w$ ? Z' Y9 c1 m4 n
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1 B3 q% v8 q8 v7 Q. H
顆粒顯微分析三
6 e v0 w' d# g8 O$ zhttp://images13.51.com/10/a/50/c6/jamesliu8029/77da81c0c62a779263590857a6c9a566.jpg
s; i9 B7 \$ L3 F
顆粒顯微分析四
6 M3 T$ E L8 z: r1 K \1 A
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3 o7 i' S I' w# w! p顆粒顯微分析五
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4 ~# H- d% b0 @+ _" C) s! @$ B& Q: n+ f顆粒顯微分析六
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! X/ ~# \& e6 E6 ^0 P+ r
顆粒顯微分析七
, n/ g1 l( E# t5 D- b: G8 v
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: m% ?' V! A# q/ Y8 {. L0 p; J) m# W
6 X+ X# Z9 x Y5 F7 A
作者: jamesliu8029 時間: 2007-3-16 20:10
標題: Re: 日本人行,中國人更行!!!
補充:
; G7 r( ^+ z1 l s3 q這是完全由中國人研發並拋光完成的CVD鑽石薄膜材料
. A/ r) r! r5 I* d" n' h日本人做到2吋!!中國人做到4吋4 y+ W/ n6 `9 r) ?( }4 K
圖一是鑽石膜晶片拋光品質6 H# A0 i2 a& C* q
圖二是拋光與未拋光之比較- n3 n; U& V/ o+ n
圖三至圖七是電子顯微鏡照片
作者: 深南大道 時間: 2007-3-16 20:25
標題: Re: 日本人行,中國人更行!!!
呵呵,希望中國的各行各業都能像這樣超過日本人~~~~
作者: jamesliu8029 時間: 2007-3-20 23:50
標題: Re: 日本人行,中國人更行!!!
為啥沒人頂??不懂材料特性??0 l. i; p `1 a5 X0 t
我再補充一下!!!! G* f6 j }# W* n' \% I1 C
鑽石的硬度在100GPA密度3.2g/cm3以上,熱傳導率1300~2100W/mK(銅397),比熱1.81J/cm3K(銅3.4),熱擴散率7.2~11.6cm2/s(銅1.16)
?, f" ^" l. P! ^! r: q其散熱及不沾粘性是世界公認
5 |' g5 j1 M% \在電子應用LED上可替代藍寶石基材,可作IC等散熱片
# t: q5 x- ^6 Y在機械行業可用精密模具(如鏡片)、耐磨材料& E5 Z3 }8 u; [5 ]/ P* p
我的QQ是4731374042 G; e* S5 y$ t; l9 t& y5 d: J
歡迎大家一起討論
作者: lwm789 時間: 2007-3-21 09:40
標題: Re: 日本人行,中國人更行!!!
不懂不懂,請教:這種鉆石薄膜是柔性的嗎?可以做密封件嗎?可以成型嗎?是否有買?價格是否很貴?謝謝。
作者: jamesliu8029 時間: 2007-3-21 13:17
標題: Re: 日本人行,中國人更行!!!
原帖由 滴水天 發表
; a9 z; |; E3 }1 `0 M: n) P9 a 不懂不懂,請教:這種鉆石薄膜是柔性的嗎?可以做密封件嗎?可以成型嗎?是否有買?價格是否很貴?謝謝。
7 }5 \: x* w$ A5 Z5 c1 Z3 S: d6 P這是平面剛性材料,因需拋光,才能達到1.052奈米的粗糙度,用於耐磨導靠零件,耐酸鹼,可替代所有超硬材料,現規格是四吋
/ o4 s& X2 g- C5 {. I
可惜不是柔性的!!如有興趣研究者,可與我連系
5 f* z+ y) G" X! m) {$ y, X; U3 P# ]% r
QQ: 473137404
作者: 海山 時間: 2007-3-21 14:31
標題: Re: 日本人行,中國人更行!!!
想了解下:使用什么設備(哪國的)來制造的?
作者: jamesliu8029 時間: 2007-3-21 15:06
標題: Re: 日本人行,中國人更行!!!
中國人自行開發的CVD設備
作者: cmx 時間: 2007-3-21 15:22
標題: Re: 日本人行,中國人更行!!!
只知VCD,CVD?液晶面板。。。?
作者: jamesliu8029 時間: 2007-3-21 15:39
標題: Re: 日本人行,中國人更行!!!
ffice
ffice" />化學氣相沉積技術(Chemical Vapor Deposition縮寫 CVD)
; M6 ~$ [! l7 [% g$ P& R9 C* fffice:word" />化學氣相沉積是製造微電子元件時,被用來沉積出特定薄膜(film)的技術,所沉積出的薄膜可以是介電(dielectrics)、導體、或半導體。
$ S+ ?- ?0 f# }( c+ y% Z' N
4 Y: _9 {& z/ I
) p @" T% w7 |+ Y5 L/ S
7 i5 j- u% \4 l5 i物理氣相沉積技術(Physical Vapor Deposition縮寫 PVD)
* p3 `/ ?. G" F% @. P物理氣相沉積應用方式與化學氣相沉積相似,主要有三種製程:蒸鍍(Evaporation Deposition)、離子鍍(Ion Plating)、濺鍍(Sputtering Deposition)及衍生性濺鍍。
作者: cmx 時間: 2007-3-21 15:53
標題: Re: CVD鑽石薄膜材料,中國人搞的
謝謝!望這項技術繼續發展,硅谷也得改改名,呵呵。
作者: jamesliu8029 時間: 2007-4-23 23:30
標題: Re: CVD鑽石薄膜材料,中國人搞的
自己頂一下!5 \: b' G' p$ B$ F) d( p
鑽石薄膜晶片可應用領域
3 M$ q4 x' k: D9 ` Y$ F0 D一、SAW(聲頻濾波器)--GHz高頻濾波器、高品質光電無線通訊# r! c+ x. _4 y- \/ E
二、紫外線發光LED--高容量光記錄器! E; T( H* X4 R5 P! `; g* \" y5 _
三、高功率LASER二極體散熱片--通信顯示器、光源
: R! P \5 T* t; {/ f6 W四、高熱源元件散熱器--高階NB-CPU散散器、Desk PC-CPU散熱器7 C7 t) l0 h# L1 Y$ c/ L
作者: jamesliu8029 時間: 2007-4-23 23:35
標題: Re: CVD鑽石薄膜材料,中國人搞的
五、其他可供應用方向' |/ J4 ]: u+ b2 k) |7 M! f* y
1、Diamond bonding tools for semiconductors(TAB Tool)/ u8 x3 q+ l' h
2、submonuts for LASER High Power LED
# X( n- H. j4 \! ^3、CVD Diamond Disk2 P1 h! W; W4 L" [+ d" }9 ]# e) Q
以全球鑽石膜生成及拋光技術來論,日本住友電工長期以來一直在CVD領域從事不同性狀與品質需求的CVD Diamond產品,供應工業加工用途、或為次世代電子元件的產品。1 o @4 | S2 _. t7 y
1995年住友電工發表大面積3英吋CVD Diamond Wafer製作及研磨試作成功;1998年發表利用大面積CVD Diamond Wafer製作2.5G Hz Diamond SAW元件,用於高頻產品;2001年發表5G Hz Diamond SAW發振元件;2004年將CVD Diamond Wafer及 Diamond SAW關鍵製作技術授權並導入精工EPSON。) ^ a# n& c @4 q! q) n4 n
EPSON在Diamond SAW元件早已開發完備商品化,並繼續開發更高頻率元件、半導體場發射元件、高純度奈米多晶Diamond、高性能Diamond Heatsink元件、LASER Diamond Heatsink、高功率FET等元件,且多數已開發完成,但這幾年來以上這些高階元件遲遲未見市場化,其關鍵在於CVD Diamond Wafer未能有效量產化,材料取得不易,製造成本太高,無法降低成本之原因。+ h/ Q# u. U! i: O5 @
我公司完成以4吋 1mm矽晶圓基材、達成面粗度8nm鑽石薄膜晶片,單機日產8片,良率達95%之成果,完全可達商業量產化之要求
作者: jamesliu8029 時間: 2007-4-23 23:41
標題: Re: CVD鑽石薄膜材料,中國人搞的
鑽石薄膜的耐高溫、耐磨損、不沾黏的特性,故在IT產業上用于Diamond bonding tools for semiconductors(TAB Tool) 表面(上項照片平面之部份)
; q6 r# Z! I$ y用於機械產業可用於耐磨件、導靠件上, ~7 v4 e3 n2 x. B
能否請各位高手大大提供關于機床可以應用在那些零部件??5 p, q; U3 f/ x J1 A; i% U
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