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標題: 前沿科技之用于集成電路的先進電鍍銅化學品 [打印本頁]

作者: 掃街    時間: 2010-5-8 09:04
標題: 前沿科技之用于集成電路的先進電鍍銅化學品
巴斯夫(BASF)創造出一種先進的電鍍銅化學品,可滿足現今及未來芯片科技的需求。巴斯夫與IBM 于2007 年6月開始這一聯合開發項目,這項創新的化學品解決方案是其直接成果。這種解決方案的表現超越了市場上現有的其它化學品;賦予電化學沉積銅工藝迅速、無缺陷的超填孔 (superfill) 能力,以制造更可靠、更優質的芯片。
2 |( ?$ d% S( ~實現無缺陷的電導線沉積是成功沉積銅工藝最關鍵的條件。在電鍍銅沉積工藝中,傳統的等向性充填(conformal fill)會在形體的上、下、外
$ w( x, G3 s, H0 {7 }( z2 I9 D圍產生同樣的銅沉積率,形成接縫及缺陷。通過采用巴斯夫的化學品可以實現快速的充填,一般稱為“超填孔(superfill)”,可以將銅快速的充填至細小的通孔及溝槽,制造出無缺陷的銅導線。通過超填充的方式,底部的銅沉積率會比頂部及外圍更高。
, Q) o$ r$ ~" p- `銅導線可顯著改善芯片效能,這種高傳導性金屬的沉積是建構多層互連結構的關鍵性工藝。時下最先進的芯片技術被稱為32 納米技術節點,而下一代的22 納米技術預期將于2011 年推出。當芯片尺寸越來越小,互連結構日趨復雜,要制造出高性能的芯片就更需要專門的化學知識。同時,純熟完善的化學工藝解決方案也是必不可少的。; N$ `6 y, g+ S$ R  t4 f; w+ p
巴斯夫的電鍍銅化學品已經可以應用在 32 納米和22 納米的芯片技術中,能明顯改善芯片銅導線的可靠性,提升芯片的性能和質量。
& `/ h2 ?0 u" p7 V  L9 P8 N兩家公司正擴展他們的合作計劃,以確定量產所需的參數。相關的技術、化學品和材料預計可于 2010 年中期上市供應。
+ x6 I2 B7 h" g  s巴斯夫全球電子材料業務部研發部門的資深經理兼該項目負責人Dieter Mayer 表示:“我們為這一創新的化學品感到興奮無比。巴斯 夫與IBM 6 i/ S; A$ Y& M# k8 }
團隊選擇了一種新的方式,通過對于沉積銅物理特性的了解來設計分子添加劑系統。利用巴斯夫與IBM 強大的資源,我們已經克服了在電鍍銅方面的主要挑戰,朝著制造更小、更快、更可靠芯片的目標又邁進了一步。”
7 R, l+ _9 o+ U( U; A! K (, 下載次數: 32)
作者: 393007574    時間: 2010-5-11 09:08
22納米沒有隧穿效應的制約了么??




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