在今年IEDM會議（國際電子器件會議）上，英特爾公布了其工藝技術路線圖以及未來三到四年內(nèi)可用的芯片設計愿景。
該計劃透露了英特爾 18A（等效1.8 nm級）工藝的最新時間表，預計將該工藝提前至2024 年下半年進入大批量制造 (HVM)，這將遠遠超過臺積電2nm工藝的進度。
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面對英特爾的挑戰(zhàn)，臺積電聯(lián)席CEO魏哲家在近期回應稱，他不會評價競爭對手的發(fā)展，但同時，“臺積電的N3工藝率先實現(xiàn)大批量生產(chǎn)，是當前最先進的，N2工藝還會再次這么做，甚至會擴大領導地位。”
據(jù)報道稱，英特爾18A工藝是該公司掌握五代CPU工藝中的最后一環(huán)，是20A工藝的改進版，每瓦性能比提升10%，同時它也是對外代工的主力。也就在前不久，英特爾與ARM達成了合作協(xié)議，將基于18A工藝為ARM生產(chǎn)芯片。
而臺積電的2nm工藝將放棄FinFET晶體管結構，首次使用GAA晶體管，相較于其N3E（3nm的低成本版）工藝，在相同功耗下，臺積電2nm工藝的性能將提升10~15%。但相較于前代工藝，升級幅度并不大。
在英特爾看來，18A工藝是與臺積電競爭的關鍵，后者的2nm工藝預計在2025年才能量產(chǎn)。
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